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                概述
                調研大綱

                一、半導體(原材料及設備/制造/應用)

                1、國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)總部開工

                9月2日,蘇州工業園區在桑田科學島舉辦國家生物藥技術創新中心、國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)總部大樓開工儀式。消息顯示,桑田科學島定位為一基地、兩中心、三示范。“一基地”指的是科技創新策源基地 ;“兩中心”指的是國家生物藥技術創新中心 、國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)總部;“三示范”指的是產學研融合發展示范區、產業制度創新示范區、國際科技創新合作示范區。國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)(以下簡稱“國創中心”)作為兩中心之一,總部位于整個桑田科學島的核心區域,將致力于打造核心產業展示區,未來創新中心示范標桿。蘇州工業園區精心繪制產業藍圖,廣泛集聚資源要素,著力優化產業生態,積極構建創新平臺,力爭建成國家第三代半導體技術創新中心,打造國家先進納米創新產業集群。

                2、華潤微:深圳12英寸線預計2024年底通線

                9月4日消息,華潤微日前在業績說明會中透露,深圳12英寸線預計2024年底通線,聚焦40-90nm特色模擬功率IC產品。重點產品,一是電源相關,包含電源驅動、電池保護等,二是微控制器,包含MCU等。此外,重慶12英寸產線聚焦功率器件,產品主要是MOSFET和IGBT等,其中MOSFET重點布局中低壓先進溝槽MOS及高壓超結MOS,目前產品驗證速度和產品爬坡進度按計劃進行。預計年底產能達到2萬片,爭取達到2.5萬片,明年預計產能達到3萬片,爭取達到3.5萬片。

                3、意法半導體將為汽車Tier 1廠商博格華納提供碳化硅MOSFET器件

                9月5日消息,汽車Tier 1廠商博格華納與意法半導體達成協議,將為后者的車規功率模塊提供碳化硅MOSFET器件。此外,博格華納已與安森美就SiC器件達成了10億美元的交易。博格華納表示,為了充分利用意法半導體SiC MOSFET芯片的性能,雙方技術團隊密切合作將其芯片與博格華納的Viper功率開關相匹配,從而最大限度地提高逆變器性能并提供緊湊且經濟高效的架構。兩家公司之間的合作提供了快速增長的電動汽車市場所需的大批量生產能力。

                二、政策梳理

                1、兩部門:優化集成電路、新型顯示等產業布局并提升高端供給水平

                【工業和信息化部、財政部聯合印發《電子信息制造業2023—2024年穩增長行動方案》】8月10日,工業和信息化部、財政部聯合印發《電子信息制造業2023—2024年穩增長行動方案》,其中提出,落實《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》及各項細則,落實集成電路企業增值稅加計抵減政策,協調解決企業在享受優惠政策中的問題。著力提升芯片供給能力,積極協調芯片企業與應用企業的對接交流。面向數字經濟等發展需求,優化集成電路、新型顯示等產業布局并提升高端供給水平,增強材料、設備及零配件等配套能力。統籌資源加大鋰電、鈉電、儲能等產業支持力度,加快關鍵材料設備、工藝薄弱環節突破,保障高質量鋰電、儲能產品供給。

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