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                概述
                調研大綱

                概述

                1) 國內沒有產品;例如光控儀,國內應集中學校,科研機構及企業加大研發投入,專項攻克技術難題。主要原因技術難點目前無法攻克,相關人才緊缺。

                2) 國內有產品,但是關鍵技術指標與國外相比有差距的;例如:可編程控制器PLC、氣體傳輸系統,干泵,明確單一技術差距,完善產業鏈配套,達到技術升級。

                表:國內外產品技術差距對比

                ? 技術指標 國內 國外
                可編程控制器PLC 輸入/輸出點數 16~256 點 10-256點
                掃描速度 較低 標準模式時基本指令處理速度可達0.22μs
                氣體傳輸系統 關鍵部件有MFC(氣體質量流量控制器)穩定性
                管件電解拋光工藝 初級電解拋光 符合半導體(SEMI)標準,適用于半導體超純氣體的嚴格標準
                6米管道電解拋光工藝 初級電解拋光 完全符合半導體設備廠需求
                全自動彎管外拋技術 暫無 彎管自動拋光,表面粗糙度均勻
                不銹鋼焊接工藝 氬弧焊接 全滲透精密焊接
                自動不銹鋼罐直縫、環縫焊接工藝 手動或半自動焊接 全滲透精密焊接
                干泵 極限壓強 0.03Torr 0.00038Torr
                ? 額定抽速 2300m3/hr 3450m3/h-1

                ?

                3) 國內有產品,關鍵技術指標也與國外相當,但設備廠商不愿意使用的;例如激光器、鏡頭,氣體質量控制器,溫控系統,離子加速管,鎢鉬棒;在下游企業試驗運行造成下游企業生產經營風險高,不愿承擔因試運行設備帶來的風險,使得國產設備在下游企業中的呈現拒絕使用狀態,嚴重阻礙國產設備的國產化進程。建議國家層面主導介入,降低下游企業的風險。

                4) 國內有產品,且已經得到設備廠商使用的部分為耗材和小部件。例如:吸嘴、供料器,靶材,鎢鉬棒,進一步的技術升級,搶占下一個技術關口,完善產業鏈。未來增加產品的穩定性及精密度,及產品的使用壽命。

                5) 全球競爭格局集中,國產替代加速。全球半導體設備競爭格局高度集中(CR5占比66%)、誕生了應用材料、ASML、泛林半導體等巨頭。這些龍頭企業收入體量大、產品布局豐富。相比而言,國內設備公司體量較小、產品線相對單一。2020年,我國半導體設備國產化率約為15%,技術難度最高的集成電路設備國產化率僅為8%。國產替代迫在眉睫。目前,我國企業在刻蝕設備、薄膜沉積設備、離子注入機、清洗設備、檢測設備等領域正奮力追趕并取得了一定的成績。國內在集成電路的關鍵部件目前還是以組裝為主,關鍵技術含量高的部件基本依靠進口,受制于國外生產廠家,而只有小部分技術含量低及可替代性強的部件實現了國產化。

                6) 持續加大集成電路各個部件的研發投入,解決關鍵技術難點。國內集成電路面臨成品在下游企業試驗運行造成下游企業生產經營風險高,不愿承擔因試運行設備帶來的風險,使得國產設備在下游企業中的呈現拒絕使用狀態,嚴重阻礙國產設備的國產化進程。研究機構,設備應用方及設備應用方構建良性設備技術及實用反饋機制,能即時增加霍改正研發方向和精力。建議國家層面主導介入,降低下游企業的風險。

                7) 未來國產集成電路制造設備關鍵部件方面要突破國外技術壁壘和封鎖,首先要得到行業內設備公司的認可。目前國內集成電路政策資金持續投入,未來更傾向于專款專用,加強資金的有效利用,加強監管。在集成電路領域部分國企內管理人員和研發人員比例失衡,導致管理成本過高,形態臃腫,所以應進行企業人員結構合理優化,加大研發人員培養力度,并增大對技術人員的激勵。

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